
高压瓷片电容器
1KV–70KV · N4700 / Y5T 介质陶瓷
径向引线陶瓷圆盘,电压范围从 1kV 到 70kV,介质材料可选 N4700(1 类,低损耗)和 Y5T(2 类,高体积效率)。具有低损耗因子和宽介电强度裕度(远高于额定电压),本体涂覆阻燃材料,适用于通孔组装和保形涂层。典型应用包括:直流阻隔、缓冲网络、倍压器以及 X 射线发生器、激光驱动器和静电设备中的能量存储。在这些应用中,稳定的电容值决定了电路在整个工作电压范围内的性能。
产品/组件组合
按元件架构、电压范围和应用要求浏览 HVC 电容器产品系列。

每个产品系列都有自己的技术页面,其中包含规格、零件编号和直接替换详情。

1KV–70KV · N4700 / Y5T 介质陶瓷
径向引线陶瓷圆盘,电压范围从 1kV 到 70kV,介质材料可选 N4700(1 类,低损耗)和 Y5T(2 类,高体积效率)。具有低损耗因子和宽介电强度裕度(远高于额定电压),本体涂覆阻燃材料,适用于通孔组装和保形涂层。典型应用包括:直流阻隔、缓冲网络、倍压器以及 X 射线发生器、激光驱动器和静电设备中的能量存储。在这些应用中,稳定的电容值决定了电路在整个工作电压范围内的性能。

20KV–150KV · 螺钉端子安装
适用于最高电压轨(20KV 至 150KV)的螺钉式陶瓷电容器。螺纹螺柱和厚电极可提供低电感、机械强度高的连接,适用于脉冲和大电流放电环境;陶瓷本体可承受高 RMS 纹波和反复浪涌而不损失电容值。典型应用包括:马克思发生器、电容器组、脉冲功率级、X 射线和 CT 高压槽以及 CO2 激光器电源,在这些应用中,连接本身必须承受与介质相同的应力。

高能量·射频功率系统应用
这些陶瓷电容器专为替代 Vishay Cera-Mite TOS 和 High Energy Corp HT50 / HT57 / HT58 / HT59 系列而设计,适用于 13.56 MHz 和 27.12 MHz 射频功率系统。金属化电极和粘合结构使其能够承受持续的射频电流和反复的热循环,而不会发生电容漂移。典型应用包括:感应加热、射频放大器、阻抗匹配网络和等离子体电源,在这些应用中,ESR、温升和电流处理能力远比原始电容值更为重要。

交流安全 · IEC/UL认证电容器系列
适用于跨接和旁路应用的 X1/Y1 级安全认证陶瓷圆片电容器。符合 IEC 60384-14.3 标准,额定电压 400 Vac,径向引线。其设计目标是安全失效而非短路,因此适用于电器、照明和工业控制等设备的 EMI 滤波和电源输入级,在这些应用中,普通陶瓷电容器无法胜任。选择合适的等级是确保最终产品符合所测试的安全标准的关键。

平面/管状 · 0.1% 公差
高压厚膜电阻器,有平面型和管型两种,可直接替代 EBG MTX969、Ohmite ARCOL AR3、Nicrom MS500/P500、3RLab UT 和 Metallux HVR 969 系列。经精密加工,公差低至 0.1%,温度漂移极低,因此在整个工作电压范围内都能保持精度,而不仅仅是在低电压读数时。典型应用包括:高压分压器、泄放和放电回路、X射线电流检测以及耐压/局部放电测试设备。

快速恢复 · 高浪涌电流阻力
我们提供1KV至45KV、5mA至2.5A的高压整流二极管,在273种规格中均具有低至20ns的超快恢复时间,可替代HVCA、EDI、VMI和Sanken等品牌的产品。快速恢复时间和高浪涌电流耐受能力使其适用于X射线发生器、激光器、电容充电电源和高压倍压器等应用,在这些应用中,反向恢复损耗和浪涌耐受能力比正向压降更能决定可靠性。
选型指南和工程说明
与本产品系列一同发布的还有有关介质选择、局部放电限制、热设计和直接替换等方面的新技术文章。
DIAL 和 LIDAR 发射器需要在 -40 °C 至 +60 °C 的温度范围内,脉冲间能量散射低于 1%。本指南涵盖脉冲能量和 LC 反转方程、平方定律要求的 ±0.25% 充电精度,以及将散射控制在目标范围内的 N4700 电容器规格。
65°C 的外壳温度读数可能掩盖了 125°C 的电容器芯体温度。本指南涵盖了从芯体到环境的热阻链、电容器、电阻器和二极管的损耗模型、Ea = 0.7 eV 时的阿伦尼乌斯寿命规则,以及将芯体温度保持在 100°C 以下的降额方法。
对于污染等级 3,爬电距离设定为 20 mm/kV,高压端所有拐角倒圆至 2 mm,局部放电保持在 5 pC 以下。内容涵盖爬电距离和间隙规则、场强和寿命方程、闪络后的四种现场失效情况以及灌封数据。
MOSFET 在接近 2 kV 时停止工作,IGBT 具有 1 µs 的尾电流,火花隙可持续 10⁷ 次放电。本文涵盖了所有三种开关类型的边界图、关断和电压分配方程、四种选择失败情况以及抑制过冲的缓冲网络。
预电离提供 10⁶ 至 10⁸ cm⁻³ 的种子电子,这些电子在 200 ns 至 1 µs 内衰变。内容涵盖衰变和击穿方程、170 ns 至 330 ns 的时间窗口、导致该窗口关闭的四种故障、触发和电缆延迟以及低 ESR 脉冲电容器数据。
50 MHz 的高频预电离能够同时充满所有波导通道,因为电场以倏逝波的形式进入。内容涵盖截止频率和穿透方程、种子密度缩放、通道平衡失效以及耦合电容数据。
技术报价/6小时内回复
请提供您原有的零件编号、目标电压或物料清单 (BOM)。我们将为您匹配合适的 HVC 电容器产品系列。
索取技术报价