产品/高压陶瓷圆片电容器
高压陶瓷圆片电容器 40KV 10pF NP0 (40KV 10P)
HVC-40KV-N10-F12.5-10PK — 40KV 10 pF NP0。1 类低损耗因子 (≤0.2%),高频等级,150% 强度。询价,2-4 周。

机械尺寸
尺寸和安装。
HVC-40KV-N10-F12.5-10PK
直径 D
10 毫米
厚度 T
8 毫米
导程间距 F
12.5 毫米
铅芯直径 d
0.8 毫米
径向铅陶瓷盘, HVC-40KV-N10-F12.5-10PK. 主体直径 10mm,厚度 8mm,引脚间距 12.5mm,引线直径 0.8mm。PCB 布局前请确认间距。
额定电压
40KV
电容量
10 PF
公差
-
电介质
NP0
耗散因数
≤0.1%
绝缘电阻
≥200,000兆欧
工作温度
-25°C~ + 85°C
安装
径向引线,通孔
在 40kV 电压下,仅使用 10pF 电容时,选择 NP0 (C0G) 圆片电容的原因只有一个——稳定性。接近于零的温度系数 (0 ±30 ppm/°C) 意味着在 25°C 下测得的电容值与在 85°C 下测得的电容值相同,这对于定时电路、基准电路和缓冲电路至关重要。
在 40kV 级应用中,电晕抑制和爬电距离是设计讨论的重点,而非电容容差。这款电容为 10pF 的圆盘电容,其电容值处于高压倍压器、电子束和粒子加速器电源的理想范围内,因为在这些应用中,单个绝缘故障会导致整个组件失效。圆角电极边缘和精细的表面处理使额定电压下的局部放电低于 5pC,径向引线本体采用标准通孔安装方式。
从可靠性角度来看,该部件的设计旨在满足特定规格,而不仅仅是通过测试:绝缘电阻≥200,000 MΩ,额定电压下局部放电≤5 pC,并且由于采用了1级NP0陶瓷,其损耗因子在整个工作温度范围内保持稳定。对于维护周期较长的设备——例如医疗成像仪、工业高压测试仪和科学仪器——这种稳定性可直接转化为更少的现场故障和更低的拥有成本。
值得信赖的替代方案。 HVC 高压陶瓷专为直接替代 Vishay(美国)和 Murata(日本)径向引线系列而设计,并被财富 500 强企业和上市公司广泛应用于医疗成像、工业电力和半导体设备领域。
关于NP0介电层
NP0 (C0G) 是一种 1 类介质,具有接近零的温度系数 (0 ±30ppm/°C) 和损耗因子 ≤ 0.1%。它在所有 HVC 陶瓷圆盘介质中具有最高的电容稳定性——非常适合用于定时、滤波和基准电路,在这些电路中,电容不能随温度或施加电压而漂移。
超高压设计(40kV+)
在 40kV 直流额定电压下,局部放电(电晕)控制和爬电距离是主要的设计限制因素。HVC 40kV 绝缘圆盘采用圆角设计,表面光洁度受控,介电强度为额定电压的 150%,并经过局部放电测试,适用于医疗 X 射线发生器、激光电源和脉冲功率系统等对 40kV 绝缘有严格要求的应用。
小电容变体
该元件的电容仅为 10pF,主要用于 40kV 的高频耦合、缓冲或补偿应用,其体积小、寄生电感低是其优势所在。
全套更换桌子
我们提供的每个零件编号都按型号列出——请参阅 完整的 Murata 替换表 和 Vishay 替换表每行承载额定电压、电容和介电常数。
典型特征 / NP0
特征曲线。
温度特性
典型数据仅供参考。实际数值可能因电容值、额定电压和测量条件而异。
直流偏置特性
典型数据仅供参考。实际数值可能因电容值、额定电压和测量条件而异。
阻抗 |Z| 与频率的关系
典型数据仅供参考。实际数值可能因电容值、额定电压和测量条件而异。
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