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抑制激光焊接高压反馈回路中的等离子体噪声
一台10千瓦的焊机在1伏的检测信号上携带200毫伏的等离子噪声,回路响应表现为±5%的焊接功率和0.2毫米的熔深漂移。采用90分贝共模抑制比的差分检测、5千赫的陷波以及N4700滤波器,可将电弧噪声从0.5伏抑制到10毫伏以下。
抑制激光焊接高压反馈回路中的等离子体噪声
工程答案
等离子体噪声通过三种途径到达反馈信号,其中负载路径的影响最大。在一台 10 kW 的焊机上,2 A 的等离子体纹波电流通过 0.1 Ω 的母线阻抗,会在 1 V 的检测线上产生 200 mV 的电压,这是一个 20% 的扰动,回路会对其进行校正。采用 90 dB 共模抑制比 (CMRR) 的差分检测、在被测等离子体频率处设置陷波以及使用 N4700 滤波电容,可以有效抑制噪声拾取,并将拐角处的噪声控制在 0.5% 以内。
- 将检测路径转换为差分采样,在 10 kHz 频率下实现 90 dB 共模抑制比 (CMRR)。
- 测量等离子体闪烁光谱,然后在主谱线上放置一个双T型陷波器。
- 在回路中的每个滤波器和去耦节点处使用 I 类电容器
- 使用 1 nF 低静电放电元件将传感节点与地解耦。
- 将回路分成两部分:一个快速的内部电流回路,一个经过滤波的外部电压回路。
抽象
焊接等离子体会将噪声注入高压输出调节信号中,而回路会通过自身的调制来响应这种干扰。本文绘制了三条注入路径,给出了将等离子体频带与控制频带分离的滤波器和陷波运算方法,并阐述了保持抑制效果随温度变化稳定的传感、滤波和屏蔽步骤。
1. 引言
激光焊接高压单元通过反馈回路调节输出,该回路对电压进行采样,将其与参考电压进行比较,并调整开关级。回路增益、交叉频率和相位裕度由功率级和滤波器模型决定。
这些模型很少考虑焊接等离子体。等离子体是一种非线性时变负载,它会将噪声注入回路所依赖的信号中。其闪烁频率范围为 1 kHz 至 100 kHz,并会突发至兆赫兹范围;其电弧动态特性会调制负载电流;其电场会耦合到未屏蔽的导体中。
其后果有两方面。首先,等离子体引起的纹波会出现在采样电压中,导致回路将负载噪声误判为输出误差,并针对模拟噪声进行校正,这会在焊接扰动中引入振荡。其次,辐射分量会耦合到高阻抗传感节点,其中几毫伏的电压就会超过误差阈值,从而触发错误的调节。
从运行中的焊机测量数据可以看出问题的严重性。在一台 10 kW 的焊机上,反馈节点在 1 V 的检测信号上会产生 150 至 250 mV 的等离子体噪声。高压输出随后会受到焊接功率 ±5% 的调制,熔深变化达 0.2 mm,这不符合航空航天和汽车焊接接头的标准。
2. 核心机制
2.1 注入到反馈节点的路径
负载路径会调节输出电流,分压器会对此在总线上产生的纹波进行采样:
V_noise = ΔI_plasma × Z_bus(f)
其中 V_noise 为检测节点处的噪声电压,ΔI_plasma 为等离子体电流摆幅,Z_bus(f) 为该频率下的母线阻抗。在 5 kHz、2 A 电流和 0.1 Ω 母线阻抗下,V_noise 为 200 mV。
辐射路径将电弧场耦合到传感线路中:
V_pickup = h_eff × E_arc
其中 V_pickup 为耦合电压,h_eff 为传感环的有效天线高度,E_arc 为电弧产生的电场强度。在 10 cm 和 5 V/m 的条件下,最坏情况下电压可达 0.5 V。接地路径会增加第三项,因为焊接电流会流经框架并抵消传感接地。
2.2 滤波器拓扑结构和截止频率
在传感节点处安装一个被动式二阶低通滤波器,用于抑制等离子体频段,同时允许控制频段通过:
f_c = 1 / (2π × √(R1 × C1 × R2 × C2))
其中 f_c 为转角频率,R1 和 R2 为两个串联电阻,C1 和 C2 为两个并联电容。当 R = 100 kΩ 且 C = 160 pF 时,转角频率为 9.9 kHz,这会使 100 kHz 等离子频带衰减 40 dB,而 1 kHz 以下的调节频带不受影响。
当等离子体闪烁集中在已知频率时,双 T 型陷波器可以增加抑制效果,而不会对控制频带造成负载:
f_notch = 1 / (2π × R × C)
其中 f_notch 为陷波中心频率。当 R = 100 kΩ 且 C = 320 pF 时,陷波位于 5 kHz,并使主导等离子体谱线衰减 30 dB。
2.3 滤波器角漂移
滤波器元件位于反馈回路中,因此它们的容差和漂移会直接进入回路。拐点位置随电容乘积的平方根而变化:
f_c ∝ 1 / √(C1 × C2)
其中 f_c 为截止频率,C1 和 C2 为滤波电容。II 类陶瓷电容在机器升温时会损失 20% 的电容值,这使得截止频率从 9.9 kHz 升高到 12.4 kHz。此时,等离子频带恰好位于通带内,而此时焊接强度最大。
同样的漂移会在交叉点处引入相位差,因此由 II 类元件构建的滤波器会使测量裕量失效。I 类元件的 ±30 ppm/°C 系数在 100°C 时会移动 0.3%,并将拐角处的偏移保持在 0.5% 以内。
2.4 共模抑制比
焊接电流通过框架返回时,会使检测地电压比控制地电压高出 5 至 8 V。差分前端通过其抑制比来衰减这种偏移:
V_residual = V_cm / 10^(CMRR / 20)
其中,V_residual 是经过前端后剩余的共模电压,V_cm 是地电位差,CMRR 是以 dB 为单位的抑制比。在 8 V 偏移电压和 90 dB 抑制比下,到达滤波器的电压为 0.25 mV,比 8 V 低了 0.25 mV。
图 1 — 总线纹波和电弧拾取会在 1 V 检测线上产生 150 至 250 mV 的电压;差分采样、5 kHz 陷波和 I 类滤波器消除了随之而来的虚假调节。
3. 工程痛点
痛点 1:该回路可防止虚假等离子体误差
当1V检测信号上存在200mV的等离子体噪声时,积分器会累积该噪声,输出会以等离子体闪烁频率进行调制。听觉上会听到类似马达声的嗡嗡声,而打印结果则显示±5%的焊接功率波动,这被归咎于焊接工艺。
痛点 2:滤波器组件漂移并重新打开噪声路径
采用 II 类陶瓷制成的滤波器在机器升温时会失去其截止频率。冷启动时调谐频率为 9.9 kHz 的滤波器,在工作温度下会调谐到 12.4 kHz,并且在焊接强度最大时,等离子频带会重新进入通带。
痛点3:共模接地噪声会干扰单端传感
当检测线参考一个带有 5 至 8 V 焊接回流电位的地线时,单端采样会整流偏移并使放大器进入饱和状态。此时,机器会在误触发和死区之间交替出现,而生产焊接线无法承受这两种情况。
痛点 4:滤波带宽与瞬态响应冲突
滤波虽然可以净化反馈信号,但也会减慢回路对实际负载阶跃的响应速度。过度滤波的设计在焊接开始时的稳定速度会降低一半,导致每条焊缝的前10毫米强度不足,不符合规范。
4. 设计步骤
策略 1:采用高 CMRR 前端进行差异化采样
将反馈信号通过共模抑制比在 10 kHz 时高于 90 dB 的差分对进行处理。这样可以消除滤波器接收到的 5 至 8 V 的地线分量,改造后的测量结果表明,总反馈噪声降低了 60%。使用匹配的差分对。 厚膜电阻 将一对分隔符连接起来,使比例随温度变化。
策略二:将陷波器调谐至测得的等离子体频率
调试时测量闪烁频谱,通常会在 2 kHz 到 8 kHz 之间显示一条主峰,并在该频率范围内放置一个双 T 型陷波器。30 dB 的陷波器可以消除驱动幻象调节的周期性分量,同时保持环路带宽低于 1 kHz。
策略 3:在每个滤波器节点使用 I 类电容器
指定 N4700 一级陶瓷,损耗因子在 0.1% 或以下,滤波器和解耦位置的温度系数为 ±30 ppm/°C。拐角处的温度偏差控制在 0.5% 以内,因此实验室测得的抑制效果即为焊接现场实际达到的抑制效果。
策略 4:本地解耦感知节点
在分压器的低端,将一个 1 nF 的电容直接并联在检测节点和地之间,这样可以在放大器之前分流高频等离子体信号。低静电抑制 (ESL) 可使分流器在兆赫兹频段保持有效,而等离子体的电弧脉冲就存在于该频段。 薄膜电容器 在这种情况下,器件变为感性,并且在 1 MHz 以上停止分流。
策略 5:根据瞬态和噪声要求拆分回路
使用快速内环电流回路实现瞬态响应,使用慢速外环电压回路实现稳压。噪声滤波器位于外环中,其带宽占用不会影响焊接起始瞬态响应。
策略六:保护并引导感觉对
将检测线布置成一端接地的屏蔽双绞线,并使其远离高压线和焊接电源线束。结合差分检测,可将辐射拾取电压从 0.5 V 降低到 10 mV 以下。
| 组件参数 | 典型值 | 测试条件 |
|---|---|---|
| 额定电压(HVCT8G系列) | 10 kV DC | 高压1.5倍,持续60秒 |
| 电容量 | 4700 pF ±20% (472M) | 1 MHz,1 V rms |
| 1 MHz 下的 ESR | 低于 50 mΩ | - |
| 回路电感(E40弦) | 低于 8 nH | 端子间距 40 毫米 |
| 绝缘电阻 | 500V直流电压下电阻大于10GΩ | 25℃,60%相对湿度 |
| 温度范围 | −40 °C 至 +125 °C | IEC 60068-2系列 |
| 脉冲dv/dt能力 | 高于 50 kV/µs | 额定电压 |
5. 用于噪声清除反馈回路的HVC N4700电容器
该节点的选择取决于三个要求:一个调谐位置保持不变的转角放大器、一个工作在兆赫兹频段的分流器,以及一个能够发挥全部输出潜能的分压器。HVC 在东莞一座占地 6,000 平方米的自有工厂内,生产用于该节点的基于 SrTiO3 基板的 N4700 (T3M) I 类器件,电压范围从 1 kV 到 100 kV。
这里需要考虑的六个参数
- 滤波器稳定性。±30 ppm/°C 系数和 0.1% 或更低的损耗因子可使工作范围内拐角处的偏差保持在 0.5% 以内。
- 解耦至兆赫兹频段。封装具有低于 30 nH 的 ESL 和频率平坦电容漏极等离子体拾取功能,在等离子体到达放大器之前进行拾取。
- 它们本身没有放电噪声。出厂时,额定电压下低于 5 pC 的 PD 屏蔽可防止滤波器和去耦部件向其净化后的信号中引入脉冲。
- 分压器路径的电压承受能力。对于 3 kV 至 20 kV 的检测分压器,采用螺钉端子。 门把手电容 径向引线圆盘具有全部输出潜力,并联泄漏可忽略不计,因此分压比保持不变。
- 自定义参数以实现精确的回路调谐。HVC 构建自定义电容和电压组合,以便将拐点设置为机器平台的实测等离子体光谱,并且匹配组的精度可达 ±1%。
- 在现场维修项目中,HVC部件具备合格的即插即用能力。HVC部件的电气参数和封装尺寸均符合要求。 村田 用于光刻光源维修的螺钉式电容器。
交付和支持
标准规格产品交货期为 4-8 周,定制规格产品交货期为 6-10 周。HVC 应用工程团队支持滤波器和陷波电容的选择、去耦布局以及交叉频率处的阻抗测量。
请提供感应电平、等离子闪烁频带、接地偏移、交叉频率和数量。HVC 将在五个工作日内回复您包含阻抗数据、匹配组公差报告以及用于原型验证的样品的零件编号。
6. 常见问题
问题1:焊接等离子体对反馈信号造成多大的噪声?
在10千瓦的焊机上,1伏检测线上的电压为150至250毫伏。负载路径决定了该数值:2安培的等离子体纹波电流接入0.1欧姆的母线阻抗会产生200毫伏的电压,而电弧场会在10厘米长的无屏蔽环路上产生0.5伏的拾取电压。
Q2:当等离子体受到噪声干扰时,为什么环路会振荡?
积分器将噪声累积为输出误差,并使用模拟体进行校正,因此输出会以等离子体闪烁频率进行调制。可见的结果是焊接功率变化±5%,熔深变化0.2毫米。
Q3:陷波滤波器应该放在哪里?
在测量的等离子体频率(通常为 2 kHz 至 8 kHz)处,外电压环路中设置一个双 T 型陷波器,可以消除 30 dB 的主要闪烁线,同时保持环路自身低于 1 kHz 的带宽不变。
Q4:为什么不加强对反馈信号的滤波?
因为回路对实际负载阶跃的响应速度较慢。过度滤波的电源在焊接开始时稳定速度会慢2倍,导致焊缝前10毫米的强度不足。因此,应将回路拆分为两个部分:一个快速的内部电流回路和一个经过滤波的外部电压回路。
Q5:II类陶瓷真的有那么大的进步吗?
是的。20%的电容损耗会使二阶滤波器的截止频率从9.9 kHz升高到12.4 kHz,因为截止频率的移动与电容乘积的平方根成反比。此时,等离子体频带就位于通带内。
Q6:什么可以消除地环路分量?
差分前端在 10 kHz 时共模抑制比超过 90 dB。它将 8 V 的焊接回波偏移衰减至 0.25 mV,并且通过增加差分传感进行改造,可将总反馈噪声降低 60%。
7。 参考
- E. Kuffel、WS Zaengl、J. Kuffel 高电压工程基础知识,第 2 版,Newnes,2000 年。
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- MIL-HDBK-217F 通知 2, 电子设备可靠性预测1995。
- IEC 60384-1:2021, 电子设备用固定电容器 - 第 1 部分:通用规范,第 6 版。日内瓦:IEC,2021 年。
- R. Sarathi 和 G. Koperundevi, 利用超高频技术研究直流电压下变压器油中单个导电颗粒的局部放电活动,IET 科学、测量与技术,第 3 卷,第 5 期,第 325-333 页,2009 年。https://doi.org/10.1049/iet-smt.2008.0136。
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- AND9800/D — 电机驱动应用中的缓冲电容器选择(表 15 测试数据),onsemi,AND9800-D,https://m.onsemi.jp/pub/Collateral/AND9800-D.PDF。
- 请求推荐用于保护英飞凌 FF300R17KE4P 的缓冲电路,英飞凌开发者社区,https://community.infineon.com/t5/IGBT/Request-for-Snubber-Circuit-Recommendation-for-Protecting-Infineon-FF300R17KE4P/td-p/1241451。
- GB/T 7354-2018, 高电压试验技术局部放电测量。 北京: 中国标准出版社, 2018.
- G. D'Antona 和 L. Perfetto, 利用特征函数展开法对绝缘开关设备中的局部放电进行定位IEEE仪器与测量学报,第68卷,第5期,第1294-1301页,2019年。https://doi.org/10.1109/tim.2019.2904806。
- HVC应用工程团队 高压陶瓷电容器 技术资源https://www.hv-caps.com
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