射频功率
2026-09-29
MRI射频功率放大器失配：隔离电容电压裕量
3T MRI射频放大器在驻波比为5.0时反射入射峰值1.67倍，谐振过冲将峰值电压推至4 kV以上。本指南提供了电压应力模型、三倍峰值额定值规则、85℃下0.85倍的降额以及十年屏障的局部放电限值。
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技术文章与工程见解。
执行摘要 · 工程亮点
1056 篇关于高压电容器应用、材料科学、失效分析和交叉参考指南的深度文章。
最新文章（1056）
第20页，共53页射频功率
2026-09-29
7T射频线圈：调谐电容器电压应力和电弧
一个10.5T的发射线圈在其调谐电容器两端测得峰值电压为1.8 kV，磁场强度为2.5 kV/mm（初始磁场强度为3 kV/mm），并且在六个月内发生了两次绝缘电阻失效。本指南提供了磁场强度和初始磁场强度的模型，以及线圈的厚度、端面和夹紧步骤。
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2026-09-29
射频线圈自动调谐：人体负载下的电容器切换
患者负荷会使 3T 线圈的频率从 128.4 MHz 偏移至 126.8 MHz，超出 ±0.5 MHz 的自动调谐容差范围。本指南提供了频率与电容的关系、PIN 支路尖峰模型、串联二极管以及在 ±0.2 MHz 精度下的电流共享限制。
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2026-09-29
MRI T/R 开关：隔离电容瞬态响应
一台3T收发开关在2.5 kV/3 kW脉冲上测得1.8 kV的尖峰电压，吸收电压在10 ms时达到125 mV，导致信噪比下降3 dB。本指南提供了充电、尖峰、吸收和寿命模型，以及额定电压和ESL步进值。
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2026-09-29
MRI接收线圈：用于降低噪声的去耦电容器
电容器 ESL、容差和介电非线性如何决定 MRI 接收线圈解耦网络中的通道间耦合，以及使用 N4700 部件的接地屏蔽如何使 32 通道 3 T 阵列上的耦合保持在 -32 dB 以下。
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2026-09-29
多通道磁共振成像接收链：电容相位一致性
MRI接收通道之间的相位扩展决定了信噪比和可用加速因子。如何利用出厂配对数据，在128 MHz频率下，将32通道3T阵列的相位偏差控制在±2度以内，同时保持±1%的容差、±30 ppm/℃的相位偏差以及高于1000的Q值？
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2026-09-29
MRI电缆陷波器：用于共模抑制的平衡-不平衡电容器
四分之一波长电缆陷波器如何阻断 MRI 射频链路中的共模电流，陷波电容器 ESL、ESR 和 tan d 如何设定陷波深度，以及 128 MHz 和 298 MHz 的级联调谐如何将 CMRR 从 25 dB 提升到 48 dB。
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2026-09-29
MRI pTx B1匀场：调整电容器相位一致性
如何调节电容器电压系数和介电损耗来设定 MRI pTx 阵列中的 B1 匀场相位一致性，以及 N4700 部件、+/-2% 的分拣和 5 pC PD 筛选如何使通道间偏差保持在 0.8 度左右。
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2026-09-29
400 MHz MRI：高压陶瓷电容器的寄生效应提取
用于 400 MHz 超高频 MRI 的高压陶瓷电容器寄生参数提取。一个 100 pF 的 N4700 器件，具有 2.5 nH 的静电放电，在 318 MHz 处自谐振并变为感性；一个 7 元件网络将模型误差控制在 3% 以下，而 3 参数集总模型的误差为 25%，同时保持 B1 和 SAR 预测在规范范围内。
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2026-09-29
超高频磁共振成像发射线圈：电容器中的介质加热
超高频磁共振成像发射线圈电容器中的介质发热。一个 33 pF 的 N4700 元件在 128 MHz 和 4 kV 下耗散 0.45 W 的功率，温度升高 7 °C；一个相同额定值的 X7R 元件耗散 6.7 W 的功率，温度升高 268 °C，导致 B1 均匀性从 92% 下降到 79%。
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2026-09-28
SiC/Si混合模块：用于非对称应力的缓冲电容器
在同一混合梯度模块开关中，SiC 和 Si 芯片的运行速度相差 5 倍，因此 SiC 侧的缓冲电容需要承受 3.2 倍的纹波电流和 300V 的关断过电压。来自 123 个模块的数据揭示了故障差距以及弥合该差距的步骤。
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2026-09-28
梯度电流检测：精密电阻热稳定性
梯度电流检测必须保持 0.1% 的精度，同时 1000 A 的峰值电流会驱动 61 W 的功率输入到 0.5 mΩ 的检测电阻器中，并将常见的厚膜体温度升高 80 K。本指南提供了 TCR 曲线、自加热模型、老化漂移以及达到 0.05% 精度的步骤。
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2026-09-28
峰值电流控制：检测电阻寄生电感
3 nH 的检测电阻引线在 50 kHz 时会引入 2.7 度的相位误差，在 500 kHz 的 SiC 振铃频带内会引入超过 25 度的相位误差，从而降低环路相位裕度。本指南提供了阻抗模型、比较器触发误差以及将相位偏差控制在 2 度以内的步骤。
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2026-09-28
梯度放大器输出：续流二极管损耗
每次梯度换向都会从续流二极管中提取反向恢复电荷：在 1000 V 母线上，每次事件提取 0.25 mJ 电荷；或在 50 kHz 频率下，平均损耗为 12.5 W。本指南提供了尖峰模型以及将损耗降低 64% 并将二极管工作温度控制在其额定值以下的步骤。
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2026-09-28
MRI梯度柜：用于降低母线噪声的低ESL电容器
1,500V 梯度机柜母线在 100ns 内完成转换，通过 10pF 的杂散电容将 150mA 的电流推入 10kΩ 的 ADC 输入端。间距、接地隔板、HVCT8G 去耦电容和 Y1 安全元件将耦合噪声从 2.1V 降低到 0.18V。
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2026-09-28
核磁共振成像冷头区：低温高压电容器
核磁共振成像仪的磁体工作温度为 4.2 K，因此位于冷区的 X7R 电容器在一个冷循环中可能会损失一半的电容和一半的初始电压。本指南提供了漂移、PDIV 和密封应力方程，以及用于解决此问题的 I 类介质和玻璃金属密封方案。
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2026-09-28
pTx MRI通道：匹配电容均匀性控制
在 50 欧姆 pTx 网络中，1 pF 匹配电容的容差会在 128 MHz 频率下引入 0.23 度的相位偏差；而 ±5% 的 NPO 批次在八个通道上达到了 7.8 度的相位偏差。以下是容差、损耗和方差的计算公式以及用于校正这些偏差的筛选方法。
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2026-09-28
3T/7T MRI射频功率放大器：多频匹配电容器
一个覆盖 1H、13C、31P 和 23Na 的射频功率放大器需要在 32 MHz 至 298 MHz 的频率范围内匹配，最大功率可达 35 kW。一个固定网络在碳模式下反射 1.5 kW 功率时，驻波比 (VSWR) 达到了 2.8。本指南提供了使驻波比低于 1.15 的阵列步长、品质因数和瞬态方程。
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2026-09-28
50 kHz 梯度开关：缓冲电容损耗模型
50 kHz 梯度开关的缓冲电容损耗模型。N4700 4.7 nF/30 kV、ESR 为 5.5 mΩ 的器件在 2.5 A rms 电流下功耗为 34 mW，而 II 类 X7R 器件在 35 mΩ ESR 下功耗为 219 mW，因此表面温升保持在 0.27 °C 而不是 1.75 °C。
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2026-09-28
高功率梯度模块：缓冲电容故障
高功率梯度模块中的缓冲电容器故障模式。缓冲电容器故障导致 28% 的梯度模块故障：击穿 42%，开路 31%，鼓包 19%，泄漏 8%。N4700 具有 25 kV/mm 的击穿强度、三倍的场裕量和 155 °C 的环氧树脂 Tg。
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