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直线加速器调制器电磁干扰:高压滤波电容器选择
直线加速器调制器以 100 ns 的脉冲宽度输出 50 kV 和 2 kA 的电流,因此噪声会通过电源、辐射和接地回路逸出。本指南提供了 CISPR 11 B 类限值、两级输入滤波器、直流母线去耦、360 度屏蔽层连接以及测得的 20-40 dB 噪声衰减。
直线加速器调制器电磁干扰:高压滤波电容器选择
工程答案
使用两级交流输入滤波器抑制传导发射:一个 5 mH 共模扼流圈、一个 470 pF Y1 电容和一个 1 µF X2 薄膜电容。在直流母线上添加 1 nF / 20 kV 电容以形成 π 滤波器,并在每个 IGBT 栅极处添加 10 nF / 6 kV 电容。使用 50 kV 直线加速器调制器进行测量,结果表明传导抑制达到 20–40 dB,且在 CISPR 11 B 类标准下具有 6–12 dB 的裕量。
- 在确定滤波器尺寸之前,先将噪声分解为共模噪声和差模噪声。
- 在交流输入端运行两级滤波器,因为一级滤波器会损失 12 dB 的滤波效果。
- 在直流母线上并联 1 nF / 20 kV 元件,以闭合高频通路。
- 将每根电缆的屏蔽层360°连接起来,并放下尾纤端头。
- 在最高发射波段,检查接缝间距与λ/20的关系。
抽象
直线加速器调制器在 100 ns 的脉冲宽度内切换 50 kV 和 2 kA 的电压和电流,该脉冲宽度产生的频谱范围从直流到数 GHz。传导辐射沿电源线散失,辐射通过接缝和电缆散失,其余辐射则通过接地回路散失。本文给出了这三条传播路径、CISPR 11 B 类限值、四层结构修正方案,以及整流后增益为 6–12 dB 的整流单元的测量频谱。
1. 引言
直线加速器调制器是医院中最强的电磁干扰源。其脉冲边沿携带 50 kV 和 2 kA 的电流,dI/dt 接近 10 kA/µs,dV/dt 接近 10 kV/µs。脉冲重复频率为每秒 200 至 400 次。
该脉冲将能量从直流扩展到数GHz,其中大部分能量集中在1MHz到30MHz之间。磁控管在2.856GHz处添加一个音调。该站点的Wi-Fi、蓝牙和心电图链路也位于同一频段内。
两项标准同时适用。CISPR 11 B 类标准规定了医院场所的辐射限值,而 IEC 60601-1-2 标准则增加了抗扰度测试。三分之一的故障发生在第一次 EMC 测试中,修复周期为 3 至 6 个月。
本文介绍了两种噪声模式、三条噪声路径、四层抑制方案以及测量结果。50 kV 调制器外壳构成了一个闭环系统。
2. 核心机制
2.1 差模和共模
差模噪声沿线路流出,再沿零线返回。开关电流会产生这种噪声,其频率介于 10 kHz 和 5 MHz 之间。在线路和零线之间施加 X 分量,并串联一个扼流圈,可以消除大部分差模噪声。
共模噪声沿两条导线流出,并通过保护接地返回。快速的电压变化率(dV/dt)通过寄生电容驱动它,因此其频率介于 1 MHz 和 300 MHz 之间。AY 部分接地并加一个共模扼流圈可以消除它。
这两个模式以正交方式叠加,因此在差模读数中仍然会出现一个较小的共模项。
V_total = √(V_DM² + V_CM²)
其中,V_total 为测量到的扰动值(单位为 dBµV),V_DM 为差模项,V_CM 为共模项。50 dBµV 的共模项与 40 dBµV 的差模项之差,在 LISN 处产生的扰动值为 54 dBµV。
2.2 脉冲边沿的共模电流
调制器的边沿决定了共模电流。10 kV/µs 的转换速率通过 100 pF 的散热电容驱动 1 A 的脉冲流入地线。
I_CM = C_par × dV/dt
其中,I_CM 为共模电流(单位:A),C_par 为节点到地的寄生电容(单位:pF),dV/dt 为节点转换速率(单位:kV/µs)。每个开关的 C_par 值应保持在 50 pF 以下,否则扼流圈磁芯会饱和,滤波器将停止工作。
2.3 三种传播路径
路径 1 为电力线传导。高频电流离开调制器,进入电网,并流向其他房间。其频率范围为 150 kHz 至 30 MHz,由输入滤波器和隔离变压器处理。
路径 2 是自由空间辐射。任何长度超过 λ/20 的导体都会起到天线的作用,因此机柜接缝、电缆和高压电缆都会辐射。它覆盖 30 MHz 至 1 GHz 的频率范围,屏蔽层和铁氧体磁环可以有效屏蔽这种辐射。
波长决定了该路径的尺度。
λ = 300 / f
其中 λ 为波长(单位:米),f 为频率(单位:兆赫兹)。在 30 MHz 时,λ 为 10 米,因此根据 λ/20 规则,接缝宽度为 500 毫米。在 1 GHz 时,λ 为 0.3 米,根据同样的规则,接缝宽度为 15 毫米。
路径 3 是接地环路。两个接地单元之间的地电位差会驱动环路电流,频率范围从直流到几兆赫兹。单点接地和光电隔离可以解决这个问题。
CISPR 11 B 类规定了这三条路径必须满足的限制。
| 分数 | 准峰值极限 | 平均极限 |
|---|---|---|
| 150 kHz – 500 kHz | 66 – 56 dBµV | 56 – 46 dBµV |
| 500 kHz – 5 兆赫 | 56dBµV | 46dBµV |
| 5兆赫 - 30兆赫 | 60dBµV | 50dBµV |
| 30 MHz – 230 MHz (10 米) | 40 dBµV/m | - |
| 230 MHz – 1 GHz (10 米) | 47 dBµV/m | - |
未抑制的调制器在市电输入端的读数为 80 至 95 dBµV,比限值高出 20 至 30 dB。经过滤波的调制器读数为 50 至 60 dBµV,因此裕量为 5 至 15 dB。
滤波级会造成与频率比成正比的损耗。
IL = 40 · log10(f / f_c)
其中,IL 为插入损耗(单位:dB),f 为测量频率(单位:MHz),f_c 为转角频率(单位:MHz)。一个转角频率为 50 kHz 的放大器在 1 MHz 处显示 52 dB 的损耗,在 150 kHz 处显示约 20 dB 的损耗。
2.4 调制器内部的源
调制器的五个部分驱动着频谱。IGBT瞬态频率介于10 MHz至100 MHz之间。脉冲变压器频率介于1 MHz至30 MHz之间。谐振充电频率介于1 kHz至5 kHz之间。高压电缆辐射频率介于30 MHz至300 MHz之间。控制板电源频率介于20 MHz至100 MHz之间。
每个信号源都需要本地修复。缓冲电路和栅极电阻处理IGBT边沿,绕组屏蔽层处理变压器,360°屏蔽层连接处理电缆。
图 1 — 从两级进气滤波器到接缝垫圈,依次进行四项修复,将 CISPR 11 B 类标准下的 74 dBµV 最差频带降低至 50–60 dBµV。
3. 工程痛点
痛点 1:单级进水过滤器
其中一台设备在输入端采用了一个单级LC电路。在0.5 MHz至5 MHz频段内,读数为74 dBµV,而限值为56 dBµV。第二级电路采用1 mH扼流圈和470 nF X电容,使频段电压降低了18 dB。两级电路的成本低于一次重新测试的成本。
痛点二:直流母线上没有解耦
如果没有并联在直流母线上的元件,20 MHz 至 60 MHz 频段的信号就会通过直流电缆传输。四个 1 nF / 20 kV 的元件与共模扼流圈组成一个 π 型滤波器,可以将该频段的信号衰减 10 至 15 dB。
痛点3:尾线护套末端
100 毫米长的尾纤会在 30 MHz 频率下增加 20 至 40 dB 的传输阻抗。此时,屏蔽层会起到辐射器的作用。如果将所有尾纤替换为 360° 夹钳,辐射频带将下降 15 至 20 dB。
痛点 4:橱柜接缝处没有密封垫圈
一条 300 毫米长的焊缝在 30 MHz 的磁场中几乎没有损耗。根据 λ/20 规则,在 30 MHz 频率下焊缝间距小于 50 厘米,在 1 GHz 频率下小于 15 毫米。在一种情况下,四条焊缝上的铍铜指状材料弥合了 25 dB 的间隙。
4. 设计步骤
策略一:分别测量两种模式
使用线路输入稳定网络 (LISN) 分别读取火线对零线和火线对地线的电压。这种电压分配可以告诉你应该把钱花在 X 部分还是 Y 部分。在选择滤波器之前完成这一步,因为选择错误会增加成本,而且没有利润空间。
策略二:构建两级进水过滤器
第一级使用一个 5 mH 的扼流圈,搭配一个 470 pF 的 Y1 电容和一个 1 µF 的 X2 电容。第二级使用一个 1 mH 的扼流圈,搭配一个 220 pF 的 Y1 电容和一个 470 nF 的 X2 电容。输入输出线之间应保持 30 cm 的距离,否则两级之间会发生耦合,相互抵消。
策略 3:对直流母线和每个门进行滤波
在直流正极和负极上分别连接 1 nF / 20 kV 的电容,与扼流圈构成 π 型滤波器。在每个栅极-发射极对上添加 10 nF / 6 kV 的电容,这是 40 路开关堆叠的局部校正方法。引线长度保持在 10 mm 以下。
策略四:靠频率而非习惯打基础
低于 1 MHz 时,将信号线、电源和保护地线连接于一点。高于 10 MHz 时,每个机柜面板单独接地,并使用宽度超过 10 mm 的宽铜带。保护地线电阻应低于 4 Ω,屏蔽层接地电阻应低于 0.1 Ω。
策略五:封堵缝隙和通风口
接缝间距应小于λ/20,即30 MHz时为50厘米,1 GHz时为3厘米。使用蜂窝通风口,单元间距应小于λ/10。所有电缆入口均应与金属后壳连接,法兰螺栓间距应小于5厘米。
策略六:缓解窒息感
共模扼流圈和Y部分构成谐振腔。在滤波器输出端添加一个10Ω/20W厚膜电阻以进行阻尼。在输入端,将一个47Ω/10W电阻与X部分串联。振铃滤波器比普通滤波器允许更多的噪声通过。
策略 7:逐频段验证频谱
每次更改后,逐频段记录读数。逐步记录可以显示哪些修复措施物有所值,哪些无效。此外,它还能为EMC实验室提供您已查看过的跟踪信息,从而缩短复测时间。
| 组件参数 | 典型值 | 测试条件 |
|---|---|---|
| 额定电压(HVCT8G系列) | 10 kV DC | 高压1.5倍,持续60秒 |
| 电容量 | 4700 pF ±20% (472M) | 1 MHz,1 V rms |
| 1 MHz 下的 ESR | 低于 50 mΩ | - |
| 回路电感(E40弦) | 低于 8 nH | 端子间距 40 毫米 |
| 绝缘电阻 | 在 500 V 直流电压下,电阻大于 10 GΩ | 25℃,60%相对湿度 |
| 温度范围 | −40 °C 至 +125 °C | IEC 60068-2系列 |
| 脉冲dv/dt能力 | 高于 50 kV/µs | 额定电压 |
5. 用于直线加速器调制器EMI滤波器的HVC电容器
只有当滤波器的每个元件在整个频带内都保持容性时,滤波器才能保持其插入损耗。这需要低等效串联电阻 (ESL)、低损耗以及在高温和高压下稳定的性能。HVC 在东莞拥有一座 6,000 平方米的自有工厂,生产这三种元件,电压范围从 1 kV 到 150 kV。
这里需要考虑的六个参数
- ESL低于5 nH。 HVCT-102/20kV 器件在 100 MHz 以上保持亚欧姆阻抗,而标准 SMD 器件在该频率下表现为感性并停止滤波。
- DF低于0.1%。低损耗使自发热较小,因此当机柜升温时,零件不会从凹槽中漂移出来。
- 一年级学生已完成。 N4700 本体在 1 kV 至 30 kV 的整个范围内保持其值,因此凹槽会保持在您设置的频段上。
- X2 薄膜部件位于入口处。 薄膜电容器 该系列产品在 250 Vac 下可承载 1 µF 电容,具有自愈能力,tan δ 小于 0.001。
- Y1 和 Y2 安全部件。Y1-471 和 Y1-102 将市电桥接到地,具有 8 kV 峰值耐压能力,并通过了 UL、ENEC 和 CQC 认证。
- 协调阻尼部件。 HVR-BSP 厚膜电阻器 在 10 Ω / 20 W 和 47 Ω / 10 W 时,阻尼环会受到抑制,并且 HVRGHP采样电阻器 执行当前循环。
交付和支持
标准件发货时间为 4-8 周,完整滤波器套件发货时间为 6-10 周,而进口品牌通常需要 20-30 周。电容值范围为 100 pF 至 1 µF,工作电压范围为 6 kV 至 25 kV,最低订购量为一件。
请提供频谱图、调制器速率、总线电压和机柜布局。HVC 将在五个工作日内返回包含零件编号的滤波器物料清单 (BOM)、150 kHz 至 1 GHz 的 ESR 和阻抗曲线,以及一套包含 15 件测试件的测试套件。该团队还运行 交叉参照 参照 TDK B3292 和 Vishay HQCC 的值进行测试和报价 门把手电容 用于舱壁穿线位置。
6. 常见问题
问题1:入口处需要多少插入损耗?
足以将最差频段的噪声降低 6 dB,并留有余量以应对噪声散射。未抑制的调制器在 0.5 MHz 至 5 MHz 频段的噪声为 74 dBµV,而限值为 56 dBµV,因此该频段需要 24 dB 的抑制。一个由 5 mH 和 1 mH 扼流圈组成的两级滤波器可提供 30 至 40 dB 的抑制。
Q2:Y形部分应该连接到哪里,两端都接地吗?
是的。火线到地线各接一个电容,零线到地线各接一个电容,这样共模电流就有了很短的回流路径,就不会流出机柜。每个电容值都应保持在 1 nF 到 4.7 nF 之间,因为电容值过大会增加输入端的 50 Hz 漏电流。
Q3:为什么我加装扼流圈后,滤波器反而通过了更多噪声?
因为扼流圈和Y形电路构成了一个谐振腔,而无阻尼谐振腔会以其自身频率产生谐振。因此,在滤波器输出端增加了一个10Ω/20W的厚膜电阻来抑制谐振。在添加阻尼器之前,一个单元的谐振裕量损失了8dB。
Q4:我可以对高压输出端而不是输入端进行滤波吗?
两条路径都需要改进,但它们解决的问题不同。输入滤波处理从市电输出的 150 kHz 至 30 MHz 频段。直流母线上的一个滤波器和一个位于开关处的缓冲电路处理沿电缆传输的 20 MHz 至 100 MHz 频段。单独使用其中一条路径会导致另一频段未被处理。
Q5:如何使机柜屏蔽罩在 1 GHz 频率下正常工作?
接缝间距保持在λ/20以下(1 GHz时为15 mm),并使用蜂窝通风口,其单元间距小于λ/10。所有电缆入口均需360°粘合。单根300 mm的裸露接缝在30 MHz的磁场下几乎没有损耗。
Q6:什么测试可以证明该单元通过了测试?
在 10 米处进行 CISPR 11 B 类传导扫描(150 kHz 至 30 MHz)和辐射扫描(30 MHz 至 1 GHz)。然后进行 IEC 60601-1-2 抗扰度测试:80 MHz 至 2.7 GHz 范围内 3 V/m 的瞬态电压,±2 kV 的脉冲串电压和 ±1 kV 的浪涌电压。每条线路记录 6 dB 的裕量。
7。 参考
- IEC 60601-1:2005+AMD1:2012, 医用电气设备——第1部分:基本安全和基本性能的一般要求日内瓦:IEC,2012。
- IEC 60601-2-1:2009, 医用电气设备——第 2-1 部分:1 MeV 至 50 MeV 电子加速器基本安全和基本性能的特殊要求日内瓦:IEC,2009。
- IEC 60384-8, 电子设备用固定电容器——第8部分:陶瓷介质固定电容器,1类日内瓦:IEC,2015。
- IEC 60270, 高压测试技术——局部放电测量日内瓦:IEC,2015。
- RW 埃里克森和 D.马克西莫维奇, 电力电子学基础,第 3 版。Cham:Springer,2020 年。
- Mohan, N.、Undeland, TM 和 Robbins, WP, 电力电子学:变换器、应用和设计,第 3 版。霍博肯,新泽西州:威利出版社,2003 年。
- IEC 61000-4-4:2012, 电磁兼容性 (EMC) – 第 4-4 部分:测试和测量技术 – 电快速瞬变/脉冲群抗扰度测试,第 3.0 版。日内瓦:国际电工委员会,2012 年。
- H. Wang 和 F. Blaabjerg, 电力电子变换器直流链路应用中电容器的可靠性概述IEEE工业应用学报,第50卷,第5期,第3569-3578页,2014年。https://doi.org/10.1109/tia.2014.2308357
- 弧形季节和板型设计观察 (关于高压电弧、焊剂残留和布局的技术说明),Johanson Dielectrics, Inc.,https://www.johansondielectrics.com/docs/3939/arc-season-and-board-design-observations.pdf。
- GB/T 6346.1-2024, 电子设备用固定断路器第1部分:总体规范 (电子设备用固定电容器 - 第 1 部分:通用规范)。北京:国家市场监督管理总局,2024。
- 美国 8,570,711, 多层陶瓷电子元件 (1-5 kV MLCC 的电弧放电抑制),三星电机株式会社,2013 年授权,https://www.freepatentsonline.com/8570711.html。
- HVC应用工程团队 高压陶瓷电容器 技术资源https://www.hv-caps.com
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